特許

J-GLOBAL ID：200903050296054685

半導体装置および半導体モジュール

発明者： ゴーラブ マジュムダール ,  森 敏 ,  野田 祐久 ,  岩上 徹 ,  高木 義夫 ,  川藤 寿
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005749
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199645
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 放熱効率を犠牲にすることなく装置を小型化する。【解決手段】 封止樹脂2の上面には帯状に溝21が形成されている。装置101は、溝21に係合する帯板状のクランパ61によって、放熱フィン55の平坦面へと押圧される。クランパ61と溝21とが係合するので、装置101の移動が制約される。すなわち、装置101は放熱フィン55へと安定的に固定される。クランパ61によって装置101が放熱フィン55へと固定されるので、封止樹脂2には締結用のネジを挿入する孔が設けられない。その分、封止樹脂2が縮小されるので、装置101の小型化が実現する。

請求項（抜粋）：

第1および第2主面を有する板状であって、外方に突出する複数の外部端子を有する電気良導性のリードフレームと、前記第1主面に固定されたパワー半導体素子と、前記外部端子が外部へ露出するように、前記パワー半導体素子および前記リードフレームを封止する電気絶縁性の封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂には、当該封止樹脂を外部の放熱手段へ締結するネジを挿入するための孔ないし切れ込みが、形成されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/40 E ,  H01L 23/28 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271764   出願人：ローム株式会社
• 特開平2-007455
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-325177   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-313966