不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194475
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040682
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】電荷蓄積手段が平面的に離散化されている不揮発性メモリでは、ゲート絶縁膜の最適化に際してSiN膜厚制限があり、このため電荷保持特性を維持向上しながらデータ書込の速度及び電圧の低減が困難である。【解決手段】チャネル形成領域1aとゲート電極8との間に介在するゲート絶縁膜6が、下から順にトンネル膜10,中間膜12,トップ膜14を積層してなる。トップ膜14が、複数の絶縁膜(例えば、14aと14b)を積層してなり、その最下層の膜14aが酸化膜である。中間膜12は窒化シリコン膜等であり、その膜厚は5nm以下である。トンネル膜10は、酸化膜のほか酸化窒化膜を具備した構成でもよい。中間膜12とトップ膜14との間には、中間組成の遷移層が介在する、或いは両者の界面付近にトラップレベルが2.0eVより大きな深い電荷トラップを高濃度に有する。

請求項（抜粋）：

半導体のチャネル形成領域とメモリトランジスタのゲート電極との間に介在し、平面的に離散化された電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜が、前記チャネル形成領域側から順にトンネル膜,中間膜,トップ膜を積層してなる不揮発性半導体記憶装置であって、前記トップ膜が、複数の絶縁膜を積層してなり、当該複数の絶縁膜の最下層の膜が、酸化膜である不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体不揮発性記憶素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-307776 出願人：川崎製鉄株式会社
特表昭58-502126
特開昭61-084868

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