特許
J-GLOBAL ID：200903050308210491
窒化物系共振器半導体構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364556
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234542
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器(DBR)を設ける製造方法の提供。【解決手段】 第1の分布型ブラッグ反射器122を有する窒化物系共振器半導体構造140がサファイア基板上に設けられ、第1の分布型ブラッグ反射器122に第2の基板128が結合され、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによってサファイア基板が除去され、VCSEL構造の、第1の分布型ブラッグ反射器122とは反対側に、第2のブラッグ反射器142が設けられる。
請求項（抜粋）：
透明基板上にレーザ吸収層を付着させる工程と、前記レーザ吸収層上に、共振器を構成すると共に少なくとも1つが活性領域を構成する複数のIII-V窒化物半導体層を付着させる工程と、前記複数のIII-V窒化物半導体層上に、第1の分布型ブラッグ反射器を付着させる工程と、前記第1の分布型ブラッグ反射器に支持基板を取り付ける工程と、前記複数のIII-V窒化物半導体層から、前記透明基板及び前記レーザ吸収層を除去する工程と、前記複数のIII-V窒化物半導体層の、前記第1の分布型ブラッグ反射器とは反対側に、第2の分布型ブラッグ反射器を付着させる工程と、2つのコンタクト層を露出させるために前記複数のIII-V窒化物半導体層をエッチングする工程と、前記2つのコンタクト層上に、前記活性領域をバイアスするための電極を形成する工程と、を有する、窒化物系共振器半導体構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/183
, H01S 5/323 610
H01S 5/183
, H01S 5/323 610
5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA35
, 5F073EA29
