特許
J-GLOBAL ID：200903065832764426
デバイス及びAlxGayInzN構造の組立方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025788
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228563
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】誘電体分布ブラッグ・リフレクタ(D-DBR)を用いて該高反射率ミラーを備える半導体デバイスの構造を与える。【解決手段】 基板(12)と、基板に近接して配置されたnタイプ層(18a)、pタイプ層(18b)、及び、活性層を含むAlxGayInzN構造(18)と、基板とAlxGayInzN構造の底側の間に入る第1のミラー・スタック(14)と、第1のミラー・スタックと基板及びAlxGayInzN構造の選択された方との間に入る、あるボンディング温度を有するウェーハ・ボンド界面(16)と、p及びnの接触部(22a、22b)が含まれており、p接触部がpタイプ層に電気的に接続され、n接触部がnタイプ層に電気的に接続されることを特徴とする、デバイス。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板に近接して配置されたnタイプ層pタイプ層及び活性層を含むAlxGayInzN構造と、前記基板と前記AlxGayInzN構造の底側の間に入る第1のミラー・スタックと、第1のミラー・スタックと前記基板及び前記AlxGayInzN構造の選択された方との間に入る、あるボンディング温度を有するウェーハ・ボンド界面と、pタイプ及びnタイプの接触部が含まれており、pタイプの接触部がpタイプ層に電気的に接続され、nタイプの接触部がnタイプ層に電気的に接続されることを特徴とする、デバイス。
IPC (3件)：
H01S 5/183
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01S 5/183
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
