特許
J-GLOBAL ID：200903050322307783

光干渉を減少させたイメージセンサ

発明者：
イ ウォン ホ

イ ウォン ホ について

, 
チョ ドン ホン

チョ ドン ホン について


出願人/特許権者：
マグナチップセミコンダクター有限会社

マグナチップセミコンダクター有限会社 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-245399
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081401
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供すること。【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードPDと、前記画素領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Mのメタルライン(Mは、1より大きい自然数)と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Nのメタルライン(Nは、Mより大きい自然数)と、前記画素領域の前記第Mのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも1つのダミーメタルラインDM1,DM2と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズMLとを含むイメージセンサを提供する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、 前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードと、 前記画素領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Mのメタルライン(Mは、1より大きい自然数)と、 前記ロジック領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Nのメタルライン(Nは、Mより大きい自然数)と、 前記画素領域の前記第Mのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも1つのダミーメタルラインと、 前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズと を含むことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (4件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 A
Fターム (20件)：
4M118AA05 ,  4M118BA14 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB20 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX11 ,  5C024CY27 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX18 ,  5C024GX21 ,  5C024GY31
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 固体撮像素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-105816   出願人：ソニー株式会社
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-087127   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 撮像システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-110915   出願人：株式会社東芝

前のページに戻る

TOP

BOTTOM