特許
J-GLOBAL ID：200903050336933180
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004610
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221186
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】半導体発光素子のフリップチップ実装を確実に行って全体を薄型化でき、かつ発光効率を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】透光性結晶基板12の表面(天面)14側を光取出面側とし裏面に半導体膜を積層した発光層15を有する発光素子5の裏面側に形成された各電極6、7を、リード基板2上に形成された各リード電極3、4に、それぞれバンプ8、9を介して接合し、それらの間隙を封止物質13で封止して、リード基板2上に発光素子5を実装した半導体発光装置1であって、封止物質13は、発光素子5を、少なくとも光取出面の主要部(天面等)14を露出のまま残して封止していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性結晶基板の表面側を光取出面側とし裏面に半導体膜を積層した発光層を有する発光素子の前記裏面側に形成された各電極を、リード基板上に形成された各リード電極に、それぞれバンプを介して接合し、それらの間隙を封止物質で封止して、前記リード基板上に前記発光素子を実装した半導体発光装置であって、
前記封止物質は、前記発光素子を、少なくとも前記光取出面の主要部を露出のまま残して封止していることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041AA47
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA06
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA34
, 5F041DA35
, 5F041DA39
, 5F041DA44
, 5F041DA47
, 5F041DA55
, 5F041DB09
, 5F041FF16
