特許
J-GLOBAL ID：200903095597563910
LEDチップおよびLED装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124558
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319708
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 LEDチップ発光のチップ内繰り返し反射を抑制して、LEDチップからの光取り出しを促し、LEDチップの効率を向上させる。【解決手段】 透光性のサファイア基板10上に窒化ガリウムのバッファ一層を形成し、その上にn型半導体層11を形成し、その上に多層の量子井戸構造層が形成され発光層となる、その上にp型半導体層12を形成して成り、p型半導体層12の上に形成された電極13と、p型半導体層12と発光層の一部をエッチング除去して一部が露出されたn型半導体層11に形成された電極14とを組みにして有している。そして、サファイア基板10の窒化ガリウム層を形成した側の反対側の面には、1μm程度の凹凸10aが形成されている。
請求項（抜粋）：
透光性の基板結晶上にp型半導体層とn型半導体層とを形成して成り、フェースダウン状態で実装されるLEDチップであって、基板結晶の表面に凹凸が設けられていることを特徴とするLEDチップ。
Fターム (9件)：
5F041AA07
, 5F041CA03
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA04
, 5F041DA41
, 5F041EE25
