チップ型発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216439
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】工程数の削減により低コスト化が可能であり、かつ高輝度化および小型化が可能なチップ型発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】アルミナ基板10は第1層アルミナシート11および第2層アルミナシート12の2層構造を有する。第2層アルミナシート12の上面に一対の電極パッド13が形成され、第1層アルミナシート11の裏面に一対の裏面引出し電極14が形成される。電極パッド13と裏面引出し電極14との間に相当する第1層アルミナシート11および第2層アルミナシート12の位置に複数のスルーホール15が設けられ、スルーホール15内にAgが埋め込まれる。LEDチップ20のp電極25およびn電極26が積層型アルミナ基板10の一対の電極パッド13にAuバンプ30および銀ペースト31を介してそれぞれ接合され、積層型アルミナ基板10上にLEDチップ20が貼り合わされる。

請求項（抜粋）：

支持部材と、前記支持部材上に配置された発光素子チップとを備え、前記支持部材は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された一対の第1の導電膜と、前記絶縁基板の裏面に形成された一対の第2の導電膜と、前記一対の第1の導電膜と前記一対の第2の導電膜とをそれぞれ電気的に接続する少なくとも一対の接続部とを有し、前記発光素子チップは、透光性基板と、前記透光性基板上に形成された半導体発光層と、前記半導体発光層上に形成された一対の電極とを有し、前記支持部材の前記一対の第1の導電膜に前記発光素子チップの前記一対の電極が接合された状態で前記支持部材上に前記発光素子チップが貼り合わされたことを特徴とするチップ型発光素子。

Fターム (22件)：

5F041AA04 , 5F041AA42 , 5F041AA47 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA76 , 5F041DA02 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA35 , 5F041DA43 , 5F041DA75 , 5F041DA77 , 5F041DB03 , 5F041EE16 , 5F041FF01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置および半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161095 出願人：ソニー株式会社
特開平4-010671
特開昭55-009442

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