特許
J-GLOBAL ID:200903050393121966

窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-379691
公開番号(公開出願番号):特開2002-249379
出願日: 2001年12月13日
公開日(公表日): 2002年09月06日
要約:
【要約】【課題】窒化アルミニウム粒子が脱粒しにくく、高温領域、例えば300〜500°Cにおいて108Ω・cm以上の高抵抗値を示し、熱伝導率も比較的高い窒化アルミニウム焼結体を提供すること。【解決手段】窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、希土類金属元素を酸化物換算で0.4mol%以上、2.0mol%以下、酸化アルミニウム成分を0.5mol%以上、2.0mol%以下含有しており、Siの含有量が80ppm以下であり、窒化アルミニウム粒子の平均粒径が3μm以下である。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウムを主成分とし、希土類金属元素を酸化物換算で0.4mol%以上、2.0mol%以下、酸化アルミニウム成分を0.5mol%以上、2.0mol%以下含有しており、Siの含有量が80ppm以下であり、窒化アルミニウム粒子の平均粒径が3μm以下であることを特徴とする、窒化アルミニウム焼結体。
IPC (2件):
C04B 35/581 ,  H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/68 R ,  C04B 35/58 104 B ,  C04B 35/58 104 Y
Fターム (19件):
4G001BA03 ,  4G001BA08 ,  4G001BA36 ,  4G001BA62 ,  4G001BB03 ,  4G001BB08 ,  4G001BB36 ,  4G001BB62 ,  4G001BD12 ,  4G001BD14 ,  4G001BD38 ,  4G001BE22 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031MA30 ,  5F031PA26
引用特許:
審査官引用 (3件)

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