半導体支持装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054603
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】半導体支持装置をハロゲン系腐食性ガスに対して暴露したときに、半導体設置面の表面領域における腐食速度を減少させる。【解決手段】半導体支持装置1は、窒化アルミニウム基セラミックスからなる基体5を備えており、基体5に半導体設置面5aが設けられる。窒化アルミニウム基セラミックスの配向度が1.1以上、2.0以下である。配向度=〔I’(002)/I’(100)〕/〔I(002)/I(100)〕。I’(002)は、X線回折測定において半導体設置面側からX線を照射したときの前記セラミックスの(002)面の回折強度:I’(100)は、半導体設置面側からX線を照射したときの前記セラミックスの(001)面の回折強度:I(002)は、JCPDSカード番号25-1133による窒化アルミニウムセラミックスの(002)面の回折強度:I(100)は前記番号による(100)面の回折強度。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基セラミックスからなる基体を備えており、この基体に半導体設置面が設けられている半導体支持装置であって、下記の式によって規定される前記窒化アルミニウム基セラミックスの配向度が1.1以上、2.0以下であることを特徴とする、半導体支持装置。配向度=〔I’(002)/I’(100)〕/〔I(002)/I(100)〕(I’(002)は、X線回折測定において前記半導体設置面側からX線を照射したときの前記窒化アルミニウム基セラミックスの(002)面の回折強度であり、I’(100)は、X線回折測定において前記半導体設置面側からX線を照射したときの前記窒化アルミニウム基セラミックスの(100)面の回折強度であり、I(002)は、JCPDSカード番号25-1133による窒化アルミニウムセラミックスの(002)面の回折強度であり、I(100)は、JCPDSカード番号25-1133による窒化アルミニウムセラミックスの(100)面の回折強度である)

IPC (3件)：

H01L 21/68 , H02N 13/00 , B23Q 3/15

FI (3件)：

H01L 21/68 R , H02N 13/00 D , B23Q 3/15 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

耐蝕性部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058727 出願人：日本碍子株式会社
電極埋設品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-059077 出願人：日本碍子株式会社
放電管
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-299370 出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (3件)

耐蝕性部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058727 出願人：日本碍子株式会社
電極埋設品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-059077 出願人：日本碍子株式会社
放電管
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-299370 出願人：京セラ株式会社

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