特許
J-GLOBAL ID：200903050407771020
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032202
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232253
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の高集積化に伴い、スケーリング則に従って素子を微細化すると従来のシリサイドプロセスではシリサイドの這い上がりにより素子の形成及び素子の動作を不安定にするなどの問題があった。【解決手段】 この発明によれば、シリコン上にコバルトを形成後、シリサイド化させる際に、熱処理の温度を350°C以上450°C未満の温度とすることで、メタルリッチなコバルトシリサイド(Co2Si)のみが形成されることが発明者が行った実験の結果明らかになった。上記のような温度で熱処理によりCo2Si形成後、さらに熱処理を加えることでコバルトダイシリサイド(CoSi2)に変化させる。Co2Siはシリコン中にコバルトが拡散する反応であり、コバルト中にシリコンが拡散してできるCoSiは生成されないため、這い上がり現象が起きない。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ、多結晶シリコン膜のいずれか一方、若しくは両方に接してコバルト層を形成し、350°C以上450°C未満の温度で熱処理することでCo2Si膜を形成する第一の工程、上記Co2Si膜に対し熱処理を行うことでCoSi2膜に変化させる第二の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/324
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/324 Z
, H01L 29/78 301 Y
