特許
J-GLOBAL ID：200903097331782105
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207032
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078359
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 微細なSi領域に自己整合シリサイド(サリサイド)反応によって電極を形成する半導体装置の製造方法に関し、自己整合性に優れたCo膜のシリサイド反応を含む半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板101表面にフィールド酸化膜102を形成し、素子分離する工程と、フィールド酸化膜によって画定されたSi基板の表面をイオン注入し、導電性シリコン領域とする工程と、フィールド酸化膜102に隣接するSi表面が露出されている状態でSi基板上にCo膜104を堆積する工程と、CoSi2 は形成されないように選定した温度と時間との条件下で前記Si基板を加熱し、前記導電性シリコン領域と前記Co膜との間でシリサイド反応を行なわせ、Coシリサイドを形成する工程と、未反応のCo膜を除去する工程と、前記Si基板にさらに熱処理を行ない、前記CoシリサイドをCoSi2 106に変換する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面にフィールド酸化膜を形成し、素子分離する工程と、フィールド酸化膜によって画定されたSi基板の表面をイオン注入し、導電性シリコン領域とする工程と、フィールド酸化膜に隣接するSi表面が露出されている状態でSi基板上にCo膜を堆積する工程と、CoSi2 は形成されないように選定した温度と時間との条件下で前記Si基板を加熱し、前記導電性シリコン領域と前記Co膜との間でシリサイド反応を行なわせ、Coシリサイドを形成する工程と、未反応のCo膜を除去する工程と、前記Si基板にさらに熱処理を行ない、前記CoシリサイドをCoSi2 に変換する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/762
, H01L 21/3205
, H01L 21/316
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
H01L 21/76 D
, H01L 21/88 Q
, H01L 21/94 A
, H01L 27/10 381
