特許
J-GLOBAL ID：200903050415063094
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257496
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083690
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】半導体記憶装置、特に読み出し動作の速度が遅くなる多値型や低電圧の電源での読み出し動作においてビット線の充電の高速化と電流-電圧変換回路の振幅を大きくすることで両立して高速化をはかる。【解決手段】セルトランジスタを選択し読み出し動作に入るとき、まずCNT3をHighにし、抵抗値の小さなP3-4によりビット線を高速に充電する。充電完了後、CNT3をLにして抵抗値の大きなP3-3から電流供給を行うことでセルトランジスタに流れる電流値の僅かな変動に対してB3の電位の変動を大きくとることができる。この動作によりビット線の充電の高速化と差動増幅回路の動作の高速化が両立できる。
請求項（抜粋）：
ビット線をプリチャージするための回路と、読み出し用の負荷回路と、をそれぞれ個別に備え、前記ビットのプリチャージの速度と出力電圧の振幅を独立に設定可能とし、前記ビット線に対する所望のプリチャージ速度を維持しながら、しかも出力電圧振幅を広げるようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 308
