特許
J-GLOBAL ID:200903050430927097
パワーモジュール用基板及びその製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
澤木 誠一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-054257
公開番号(公開出願番号):特開平10-242331
出願日: 1997年02月24日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】 従来のパワーモジュール用基板及びその製造法においては、基板に金属を所定形状の回路面を有するようにエッチング処理により形成し、回路面にメッキ処理を施したものに半導体チップとしてのSiチップを半田を用いて搭載しているため半田づけの際に半田自体が流れたり、チップの位置がずれるという問題があった。【解決手段】 本発明においては、セラミックス基板と金属板との接合基板において金属上の半導体搭載部の厚さが、他の金属部分より厚くする。
請求項(抜粋):
セラミックス基板と金属板との接合基板において金属上の半導体搭載部周辺部の厚さが、他の金属部分より厚いことを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L 23/12 D
, C04B 37/02 B
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 Q
引用特許:
出願人引用 (7件)
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特開昭59-150453
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特開昭57-039545
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セラミックパッケージ及び放熱基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-184629
出願人:東京タングステン株式会社
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半導体装置の実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-028812
出願人:株式会社東芝
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特開平4-170088
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特開平4-103150
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特開平1-059986
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審査官引用 (6件)
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