ゲートラインを含む半導体装置及びこの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083473
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311977
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】レイアウト上で相違した幅を有するゲートラインを含む半導体装置が開示されている。【解決手段】アクティブ領域及びフィールド領域が区分された半導体基板上に、ゲートラインが形成される。前記ゲートラインは、前記アクティブ領域上では第1幅を有し、前記フィールド領域上では前記第1幅より広い第2幅を有する。又、アクティブ領域上でのゲートラインの厚さは、フィールド領域上での厚さに対して厚い。高集積化によってフィールド領域上のゲート抵抗を減少させず、アクティブ領域での前記ゲートライン両側のコンタクトマージンが増加する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

アクティブ領域及びフィールド領域が区分された半導体基板と、前記半導体基板に形成され、前記アクティブ領域上では第1幅を有し、前記フィールド領域上では前記第1幅より広い第2幅を有するゲートラインと、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/8242 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L27/10 671B , H01L27/10 681A , H01L27/08 102C , H01L29/78 301G

Fターム (45件)：

5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB19 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA28 , 5F083AD04 , 5F083GA09 , 5F083KA01 , 5F083LA16 , 5F083MA03 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AA10 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BB06 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF51 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG39 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG49 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BJ01 , 5F140BJ23 , 5F140BK13 , 5F140BK27 , 5F140BK40 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-150032 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015604 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-170955

全件表示

前のページに戻る