特許

J-GLOBAL ID：200903050490313349

酸化亜鉛系化合物半導体素子

発明者： 中原 健 ,  湯地 洋行
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276207
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088271
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】 ZnO系化合物半導体層のヘテロ接合を有する積層部を形成して半導体素子を形成しても、p形ドーピングを確保しつつ駆動電圧の上昇を引き起こさず、しかも結晶性を良好にして素子特性の優れた酸化亜鉛系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 A面{11-20}またはM面{10-10}が-c軸方向に傾斜した面を主面とするMgxZn1-xO(0≦x<1)からなる基板1の主面上に、ZnO系化合物半導体層2〜6がエピタキシャル成長されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

A面{11-20}またはM面{10-10}が-c軸方向に傾斜した面を主面とするMgxZn1-xO(0≦x<1)からなる基板と、該MgxZn1-xOからなる基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたZnO系化合物半導体層とからなる酸化亜鉛系化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/347

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01S5/347

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F173AA03 ,  5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH31 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP76 ,  5F173AP79 ,  5F173AR23 ,  5F173AR83

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ZnO系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-059025   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025433   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025433   出願人：住友電気工業株式会社