特許
J-GLOBAL ID：200903098235920676
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-025433
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340765
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 活性層における自然発生電界が低減され、高輝度化が可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子1は、n型クラッド層3と、n型クラッド層3上に設けられたp型クラッド層7と、n型クラッド層3とp型クラッド層7との間に設けられており、窒化物からなる活性層5とを備え、n型クラッド層3と活性層5との界面に直交する軸と活性層5におけるc軸とのなす角度、及び活性層5とp型クラッド層7との界面に直交する軸と活性層5におけるc軸とのなす角度が、それぞれゼロより大きいことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
六方晶系化合物からなる第1導電型半導体層と、
六方晶系化合物からなり前記第1導電型半導体層上に設けられた第2導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に設けられており、六方晶系化合物からなる活性層と
を備え、
前記活性層の前記第1導電型半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第2導電型半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるc軸とのなす角度が、ゼロより大きいことを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA41
, 5F041CA57
, 5F041CA66
, 5F041CA67
, 5F041CA92
