特許

J-GLOBAL ID：200903082317291339

ZnO系半導体素子

発明者： 中原 健
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-059025
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304166
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】 安定したP型ZnO層を備えたZnO系半導体素子を提供するため、ZnO薄膜中に高濃度で窒素原子をドーピングする。安定なP型ZnO層の作製により、作製が容易なN型ZnO層との組合せ或いは異なる組成のP型層若しくはN型層との組合せを可能とし、さまざまな形態のZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】本発明に係るZnO系半導体素子は、N型層とP型層を各々1層以上有する半導体素子において、前記P型層のうち少なくとも1層は窒素原子をドープしたZn極性ZnO系半導体薄膜で形成し、該Zn極性ZnO系半導体薄膜は薄膜成長方向がZn極性方向([0001])であることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

N型層とP型層を各々1層以上有する半導体素子において、前記P型層のうち少なくとも1層は窒素原子をドープしたZn極性ZnO系半導体薄膜で形成し、該Zn極性ZnO系半導体薄膜は薄膜成長方向がZn極性方向([0001])であることを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/363 ,  H01L33/00 ,  H01S5/327

FI (3件)：

H01L21/363 ,  H01L33/00 D ,  H01S5/327

Fターム (19件)：

5F041CA03 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA66 ,  5F073CA22 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103NN01 ,  5F103NN10 ,  5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-311904   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (3件)

• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-013814   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-133897   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文