半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355903
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175488
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】ガラス基板401上にSiOxNy膜402を形成し、前記SiOxNy膜上に酸化珪素膜403を形成し、前記酸化珪素膜上に非晶質珪素膜404を形成し、レーザー光の照射によって前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜をパターニングして島状の結晶性珪素膜を形成し、前記島状の結晶性珪素膜を覆ってゲイト絶縁膜406を形成することによって、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にSiOxNy膜を形成し、前記SiOxNy膜上に酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜上に非晶質珪素膜を形成し、レーザー光の照射によって前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜をパターニングして島状の結晶性珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/336

FI (7件)：

H01L29/78 626C , H01L21/20 , H01L21/316 A , H01L21/316 M , H01L29/78 617V , H01L29/78 617T , H01L29/78 627G

Fターム (67件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052JA01 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF73 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE34 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF32 , 5F110FF33 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (9件)

非発光型ディスプレーを有する電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-329652 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭56-116627
特開昭58-147070

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