特許

J-GLOBAL ID：200903050526610205

プライマを用いて材料を堆積させる方法および装置

発明者： ハヤシ,シンイチロウ ,  マックミラン,ラリー ディー. ,  吾妻 正道 ,  パズ デ アラウジョ,カルロス エイ.
出願人/特許権者： サイメトリックス コーポレイション ,  松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-531827
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513500
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】液体プライマをミスト化し、堆積チャンバ(2)内に流し、基板(5)上に堆積させる。液体前駆体(64)をミスト化し、堆積チャンバ(2)内に流し、基板(5)上に堆積させる。プライマおよび前駆体を乾燥させて、固体の薄膜を形成し、その後これをアニールすることにより、メモリセル内の誘電体(1130)のような集積回路(1110)中の電子部品(1112)の一部を形成する。上記プライマは溶媒であり、上記前駆体は、金属カルボキシレート、金属アルコキシド、あるいは金属アルコキシカルボキシレートを前駆体溶媒中に含む。好ましくは、上記プライマおよび上記前駆体は、2-メトキシエタノール、キシレン、n-ブチルアセテート、あるいはヘキサメチルジシラザン等の同一の溶媒である。

請求項（抜粋）：

集積回路(1110)を製造する方法であって、(a)液体前駆体(64)を提供する工程と、(b)閉じた堆積チャンバ(2)内に基板(5)を搭載する工程と、(c)該液体前駆体から前駆体ミスト(66)を生成する工程と、(d)該堆積チャンバ内に該前駆体ミストを流して該基板上に該前駆体液体の層を形成する工程と、(e)該基板上に堆積した該液体層を処理して固体材料の膜(1130)を形成する工程と、(f)該固体材料の膜の少なくとも一部が該集積回路の部品(1112)内に含まれるように、該集積回路(1110)の製造を完了する工程とを包含する方法であって、該方法は、(g)液体プライマを提供する工程と、(h)該液体プライマのミストを生成する工程と、(i)該前駆体ミストを流す該工程の前に、該堆積チャンバ(2)内に該プライマミストを流して該基板(5)上に該プライマ液体の層を形成する工程と、によって特徴付けられる、方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成方法および薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-131736   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-023933   出願人：松下電子工業株式会社