特許
J-GLOBAL ID：200903055664077722
強誘電体薄膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-023933
公開番号（公開出願番号）：特開平6-234551
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜の形成方法において、熱処理工程で強誘電体成分以外の不要な化合物が少なく、欠陥の少ない膜を形成する。【構成】 支持基板1の上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸素またはオゾン雰囲気ガス中で低圧水銀ランプ3を用いて塗布膜に紫外線を照射した後熱処理を加えるか、または紫外線を照射しながら熱処理を加える工程とを有する。
請求項（抜粋）：
支持基板の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸化性雰囲気ガス中で前記ゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に紫外線を照射する工程と、その後前記支持基板を熱処理する工程とを有する強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C03C 17/25
, B01J 19/12
, C01G 23/00
, H01B 3/00
