特許
J-GLOBAL ID：200903050535796486

エッチング方法

発明者：
嵯峨 宣弘

嵯峨 宣弘 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260113
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】複数の半導体層を有する積層体にメサ形状を簡易に形成でき、そのメサ上を覆うように設けられる電極の断線を防止でき、しかも形状制御性に優れるエッチング方法等を提供する。【解決手段】半導体基板90a上に設けられたMQW-SCH層24を含むストライプ状メサの両側が各InP層32a,34aで埋め込まれ、更にその上にInP層28a及びGaInAs層30aが被着されて成る基体1aを準備する。次に、GaInAs層30a上に絶縁体マスクM1をストライプ状に形成してGaInAs層30aをドライエッチングした後、引き続き、各InP層28a,32a,34aのドライエッチングを行う。このとき、GaInAs層30aのエッチングでは、バイアス電圧を各InP層の及び各InP層28a,32a,34aのときよりも小さくし、且つ前者のICP出力を後者に比して大きくする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1の半導体層及び該第1の半導体層と異なる第2の半導体層を備える基体をエッチングしてメサ形状を形成する方法であって、 前記基体が収容されたチャンバ内にエッチングガスを供給するガス供給工程と、 前記基体にバイアス電圧を印加し、且つ、前記チャンバ内に高周波電力を印加することにより高周波誘導プラズマを形成して前記エッチングガスに由来する活性種を前記基体上に供給するエッチング工程と、 前記エッチング工程を実施する時に、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層のそれぞれのエッチングで用いる前記バイアス電圧、前記高周波電力、該高周波の周波数、前記エッチングガスの流量、及び該エッチングガスが混合ガスの場合における各ガスの混合比のうち少なくとも一つを、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の物理的及び/又は化学的な特性に基づいて互いに独立に変化せしめる制御工程と、 を備えるエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H01S5/227
FI (2件)：
H01L21/302 100 ,  H01S5/227
Fターム (17件)：
5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA24 ,  5F073DA25
引用特許：
審査官引用 (4件)
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