特許

J-GLOBAL ID：200903050563839450

強誘電体膜の成膜方法

発明者： 舟窪 浩 ,  井上 喜央 ,  難波 徹 ,  山口 隆弘 ,  高松 勇吉 ,  米山 岳夫 ,  淺野 彰良 ,  岩田 充弘
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050182
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260023
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】PZT、BST、SBT、PLZT等の強誘電体膜の成膜において、原料の気化供給中に発生する固体CVD原料の析出に起因するパーティクルの混入が少なく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られる成膜方法を提供する。【解決手段】固体CVD原料をテトラヒドロフランに溶解した原料に、テトラヒドロフランよりも高い沸点を有する有機溶媒を気化器の前段で混合させた後、気化させて半導体製造装置へ供給し強誘電体膜の成膜を行なう。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

固体CVD原料をテトラヒドロフランに溶解した強誘電体膜を成膜するための各種原料を、各々気化器により気化した後、混合して半導体製造装置へ供給し、強誘電体膜を成膜する方法において、該強誘電体膜を成膜するための原料の少なくとも1種に、テトラヒドロフランよりも高い沸点を有する有機溶媒を気化器の前段で混合させた後、気化することを特徴とする強誘電体膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31 B

Fターム (17件)：

4K030AA11 ,  4K030EA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045EE13 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02