特許

J-GLOBAL ID：200903050593367684

縦型バイポーラトランジスタ、特にSiGeヘテロ接合ベースを有するもの、および前記トランジスタの製造法

発明者： シャントル アラン
出願人/特許権者： フランス テレコム
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545198
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512452
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】真性コレクタ(4)の半導体領域は、横方向の絶縁領域(2)に囲まれている。SiGeヘテロ接合を含んだ半導体層(6)は、その一部がトランスミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間に位置し、横方向の絶縁区域の上方をトランスミッタのいずれかの側へと伸びている。ベース真性領域は、トランスミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間にあるヘテロ接合を有する前記半導体層中に形成される。ベース外部領域およびコレクタ外部領域は、各々前記へテロ接合を有する半導体層中に形成され、横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の上方のトランスミッタのいずれかの側に位置し、横方向の絶縁領域によって互いに電気的に隔離される第一の区域(61、63)を含む。

請求項（抜粋）：

横方向の絶縁領域(2)に囲まれた真性コレクタ半導体領域(4)と、 その一部がエミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間に位置し、横方向の絶縁領域の上方をエミッタのいずれかの側へと伸びる半導体層(6)と、 各々エミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間の前記半導体層(6)中に形成される真性ベース領域(60)と、 各々、横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の上方のエミッタのいずれかの側に位置し、真性コレクタ(4)中に伸びる第二の区域(62、64)と同じく、横方向の絶縁領域の第二の部分(202)により電気的に隔離される半導体層(6)に形成される第一の区域(61、63)を含む外部ベース領域および外部コレクタ領域と、 各々、前記横方向の絶縁領域の前記第一の部分の上方に対応する前記第一の区域と接触して配置されるベースおよびコレクタメタライゼーションを含むことを特徴とする縦型バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Fターム (19件)：

5F003AP05 ,  5F003BA97 ,  5F003BB04 ,  5F003BB06 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH06 ,  5F003BH18 ,  5F003BM01 ,  5F003BM07 ,  5F003BN01 ,  5F003BP33 ,  5F003BP34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216994   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-088637
  
• バイポーラトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-162198   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平2-224251