レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063984
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】アモルファスシリコン膜の加熱結晶化によりそりが生じたガラス基板に対し、均一なレーザー照射を行い、ガラス基板上に形成される複数の結晶性シリコンTFTにおいて、基板面内において均一なしきい値を有せしめる。【構成】ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を、加熱結晶化させて結晶性シリコン膜とする工程と、前記ガラス基板をステージ上で平坦化して載置する工程と、前記結晶性シリコン膜に対し、線状レーザービームを走査しながら照射してレーザーアニールを行う工程と、を有することを特徴とするレーザーアニール方法である。

請求項（抜粋）：

被照射面を有するガラス基板をステージ上で平坦化して載置する工程と、前記ガラス基板上の被照射面に対し、線状レーザービームを走査しながら照射してレーザーアニールを行う工程と、を有することを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/268 B , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-286518
特開昭59-193022
特開昭63-090386

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