基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小谷悦司 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018750
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213597
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】基板を熱処理プレートから剥離するに際し基板に生じる剥離帯電を効率的に中和することができるようにする。【解決手段】基板Bの主面のほぼ全面に亘って当接して基板Bを保持するとともに、基板Bを加熱または冷却するCP3と、基板BがCP3により保持された保持位置と、CP3より離間した離間位置との間で基板Bを移動させる基板昇降機構4と、正にイオン化された気体である正イオンと負にイオン化された気体である負イオンとをそれぞれ基板Bに供給するイオナイザ6と、基板Bが保持位置にあるときと離間位置にあるときとで、イオナイザ6から基板Bに供給する正イオンと負イオンとの割合を切り換えるイオンバランス設定手段62とを有している。

請求項（抜粋）：

基板を熱処理する基板処理装置において、基板の主面のほぼ全面に亘って当接して基板を保持するとともに、基板を加熱または冷却する熱処理プレートと、基板が熱処理プレートにより保持された保持位置と、熱処理プレートより離間した離間位置との間で基板を移動させる基板移動手段と、正にイオン化された気体である正イオンと負にイオン化された気体である負イオンとをそれぞれ基板に供給するイオナイザと、基板が保持位置にあるときと離間位置にあるときとで、イオナイザから基板に供給する正イオンと負イオンとの割合を切り換えるイオン割合切換手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/027 , H01L 21/324 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/02 Z , G02F 1/1333 500 , H01L 21/324 D , H01L 21/68 N , H01L 21/30 567

引用特許：

出願人引用 (8件)

液晶表示素子の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-133077 出願人：三菱電機株式会社, 旭硝子株式会社
特開平4-289046
特開平4-218941

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審査官引用 (3件)

液晶表示素子の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-133077 出願人：三菱電機株式会社, 旭硝子株式会社
特開平4-289046
特開平4-218941

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