特許
J-GLOBAL ID：200903050689075846
低熱膨張係数を有する高密度等方性黒鉛材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
成瀬 勝夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010186
公開番号（公開出願番号）：特開平10-203869
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶引上げ用黒鉛ルツボやSiC被覆用サセプター基材等の半導体用部材向けの黒鉛材として好適な、熱膨張係数が低く、同時に緻密性や材料強度に優れた高密度な等方性黒鉛材の製造方法を提供する。【解決手段】 平均アスペクト比が3<a<SB>1 </SB>≦8、粒径の範囲が10≦d<SB>1 </SB>≦200μmのピッチコークス粉末(A)30〜60重量%と、平均アスペクト比がa<SB>2 </SB>≦2、粒径の範囲がd<SB>2 </SB>≦50μmのピッチコークス粉末(B)70〜40重量%を配合してフィラー原料とし、これをバインダーピッチと共に混練した後二次粉砕し、この二次粉末を静水圧プレスにより成型して、次いでこれを焼成炭化及び黒鉛化処理する。
請求項（抜粋）：
平均アスペクト比が3<a<SB>1 </SB>≦8、及び粒径の範囲が10≦d<SB>1</SB>≦200μmのピッチコークス粉末(A)30〜6 0重量%と、平均アスペクト比がa<SB>2 </SB>≦2、及び粒径の範囲がd<SB>2 </SB>≦50μmのピッチコークス粉末(B)70〜40重量%とを配合してフィラー原料とし、これをバインダーピッチと共に混練した後二次粉砕し、この二次粉末を静水圧プレスにより成型して、次いでこれを焼成炭化及び黒鉛化処理することを特徴とする低熱膨張係数を有する高密度等方性黒鉛材の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/54 A
, C30B 15/10
