特許

J-GLOBAL ID：200903050702693260

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-363444
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177105
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 ゲイト電極としてアルミ材料を用いたTFTを高い歩留りで実現するための技術を提供する。【解決手段】 活性層103、ゲイト絶縁膜104の上に設けられたゲイト電極をタンタル層110とアルミニウム層105との積層膜で構成する。この構造ではタンタル層110がストッパーとなり、アルミニウム層105の成分物質がゲイト絶縁膜中へ侵入するのを防ぐことができる。また、タンタル層110の端部はタンタルオキサイド112となり、LDD領域を形成する上でゲイト絶縁膜へのイオン注入ダメージを低減する効果を持つ。

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成された複数のTFTで構成される半導体回路を構成に含む半導体装置であって、前記TFTは活性層、ゲイト絶縁膜並びにタンタル層とアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなるゲイト電極を有し、前記タンタル層は、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の構成元素が前記ゲイト絶縁膜中へ侵入するのを防ぐブロッキング層として機能しうる膜厚を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-270398   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285426   出願人：松下電器産業株式会社