薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135462
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜からの水の脱離・拡散の影響によって引き起こされる、アルミニウムを主成分とするゲート電極のヒロック発生密度増加およびヒロック肥大化を抑制できる薄膜トランジスタを実現する。【解決手段】酸化シリコンからなるゲート絶縁膜4上に形成されるゲート電極が、高融点金属からなる第1のゲート電極6と、第1のゲート電極6上に形成したAlを主成分とする金属の第2のゲート電極7とからなる。このように、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜4とAlを主成分とする金属からなる第2のゲート電極7との間に、水の阻止能力の高い高融点金属からなる第1のゲート電極6を設けたことにより、ゲート絶縁膜4の酸化シリコンからの水の脱離・拡散の影響が、第1のゲート電極6により阻止され、第2のゲート電極7まで及ぶことがないため、第2のゲート電極7のヒロック発生密度増加およびヒロック肥大化を抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体層上に酸化シリコン層を含むゲート絶縁膜を介してアルミニウムを主成分とする金属層を含むゲート電極を形成した薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上に高融点金属層を形成し、この高融点金属層上に前記アルミニウムを主成分とする金属層を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (6件)：

H01L 29/78 617 L , H01L 21/28 301 R , H01L 29/62 G , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 617 U

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335344 出願人：シャープ株式会社
特開昭59-210671
絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-103515 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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