特許

J-GLOBAL ID：200903050710707769

単結晶薄膜の製造方法

発明者： 羽深 等 ,  黛 雅典
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330233
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 ドーパントの外方拡散による気化とオートドープを抑制することができ、また、工程時間の短縮を実現することができる単結晶薄膜の製造方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶基板の温度が850°C以下の時に、前記シリコン単結晶基板の載置された反応容器内に弗化水素ガスを水素ガスに混入させてなる混合ガスを導入して、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中で除去し、該自然酸化膜が除去された前記主表面上に1000°C以下の温度で単結晶薄膜を気相成長する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の温度が850°C以下の時に、前記シリコン単結晶基板の載置された反応容器内に弗化水素ガスを水素ガスに混入させてなる混合ガスを導入して、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中で除去し、該自然酸化膜が除去された前記主表面上に1000°C以下の温度で単結晶薄膜を気相成長することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-209481
  
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329891   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 特公昭49-000390