特許

J-GLOBAL ID：200903050742369334

電気抵抗が高い相変化記録膜

発明者： 野中 荘平 ,  木之下 啓 ,  森 暁
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (2件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103519
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311729
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】電気抵抗の高い相変化記録膜を提供する。【解決手段】原子%でGe:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、酸素:1〜15%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

原子%で(以下、%は原子%を示す)Ge:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、さらに酸素:0.1〜15%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする電気抵抗が高い相変化記録膜。

IPC (5件)：

H01L45/00 ,  B41M5/26 ,  C01G30/00 ,  C23C14/08 ,  H01L27/10

FI (5件)：

H01L45/00 A ,  C01G30/00 ,  C23C14/08 K ,  H01L27/10 451 ,  B41M5/26 X

Fターム (23件)：

2H111EA04 ,  2H111EA23 ,  2H111EA31 ,  2H111FB05 ,  2H111FB09 ,  2H111FB12 ,  2H111FB25 ,  2H111FB30 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC24 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324150   出願人：松下電器産業株式会社
• 相変化型不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296101   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Crystal Structure of Oxygen/Nitrogen-Doped GeSbTe Phase-Change Media: Investigation Using Grazing In