特許
J-GLOBAL ID：200903050815131846

成膜装置及び成膜方法

発明者：
松本 賢治

松本 賢治 について

, 
神力 博

神力 博 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124674
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319581
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は多元系金属酸化物薄膜の結晶核を生成するための工程に使用される原料ガスと、結晶核上に多元系金属酸化物薄膜の結晶を生成するための工程に使用される原料ガスとをそれぞれの工程に適した条件で供給することを課題とする。【解決手段】 多元系金属酸化物薄膜(PZT膜)の結晶核(PTO核)を生成するために、結晶核原料ガス(Pb,Ti)を第1のガス供給系により成膜装置に供給する。結晶核上に多元系金属酸化物薄膜の結晶を成長させるために、結晶の原料となる複数の薄膜原料ガス(Pb,Zr,Ti)を第2のガス供給系により成膜装置に供給する。第1のガス供給系は固体昇華法を用いて結晶核原料ガスを生成し、第2のガス供給系は溶液気化法を用いて薄膜原料ガスを生成する。
請求項（抜粋）：
多元系金属酸化物薄膜を基体上に生成する成膜装置であって、前記基体を載置する載置台が設けられた処理チャンバと、前記載置台の上方に設けられたシャワーヘッドと、前記処理チャンバを所定の真空圧力に維持するための排気装置と、前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給装置とを有し、前記ガス供給装置は、多元系金属酸化物薄膜の結晶核を生成するために、該結晶核の原料となる結晶核原料ガスを前記シャワーヘッドに供給する第1のガス供給系と、前記結晶核上に前記多元系金属酸化物薄膜の結晶を成長させるために、前記多元系金属酸化物薄膜の結晶の原料となる複数の薄膜原料ガスを前記シャワーヘッドに供給する第2のガス供給系とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X
Fターム (33件)：
4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  5F045AB31 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045BB09 ,  5F045DC55 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EF05 ,  5F045EG08 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF80 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM