薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066552
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260766
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 450°C以下の温度で、PZTのペロブスカイト結晶膜を均一に形成できるようにする。【解決手段】反応器101内の真空度は、0.1Torrと低真空の状態とし、この状態で、Pb原料供給部105より、Pb(DPM)2が0.1モル濃度で溶解している酢酸ブチル溶液を、流量制御手段105aで所定流量に流量制御して気化器105bに供給し、酢酸ブチルとともに溶解しているPb(DPM)2を気化器105bで気化する。そして、これらにヘリウムガスを流量「250sccm」で添加してシャワーヘッド103に供給する。

請求項（抜粋）：

基体上に鉛とチタンからなる酸化物のペロブスカイト構造の結晶核を形成する第1の工程と、前記結晶核が形成された前記基板を所定温度とし、希釈ガスで希釈された鉛とジルコニウムとチタンの各有機金属原料のガスおよび酸化ガスを前記基板上に供給し、0.1Torr以上とした圧力下で、鉛とジルコニウムとチタンの酸化物からなるペロブスカイト結晶構造の強誘電体膜を前記基板上に形成する第2の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (11件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/31 B , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (55件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030EA03 , 4K030JA09 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG27 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045EC07 , 5F045EE02 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EF05 , 5F045EG08 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (5件)

CVD薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330674 出願人：大阪瓦斯株式会社
金属酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-229277 出願人：株式会社東芝
成膜方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-130260 出願人：東京エレクトロン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Control of Orientation of Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films Using PbTiO3 Buffer Layer

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