特許
J-GLOBAL ID：200903001649820157
膜の形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279096
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183057
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 有機金属錯体を溶媒に溶かした原料を用いた化学気相成長(CVD)法における膜中への炭素とりこみ量を低減する膜の形成方法を提供する。【解決手段】 有機金属錯体又は有機金属を溶かす溶媒として非極性溶媒を用いる。非極性溶媒には、極性溶媒の極性基のごとく有機金属錯体に配位する大きな分子量を有する有機分子基がないことから、有機金属錯体と溶媒との電気的相互作用が低減され、膜中への炭素取り込み量が低減される。
請求項（抜粋）：
少なくとも有機金属を含む原料物質を非極性溶媒に溶解させるステップ(a)と、上記非極性溶媒と原料物質とを気体状態もしくは液体状態にして、基板が設置された反応室内に導入するステップ(b)と、上記原料物質に基板上で化学反応を起こさせて、基板上に膜を形成するステップ(c)とを含む膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01G 4/33
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, H01L 27/10 651
, H01G 4/06 102
