特許

J-GLOBAL ID：200903050818590400

面発光レーザ装置

発明者： 山田 みつき
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057727
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251860
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 低抵抗化と低閾値化を同時に達成することできる面発光レーザ装置を提供すること。【解決手段】 本発明にかかる面発光レーザ装置は、高屈折率層であるGaAs層31と、GaAs層31より屈折率の低い低屈折率層であるAl0.9Ga0.1As層32と、GaAs層31とAl0.9Ga0.1As層32との間に配置され、GaAs層31とAl0.9Ga0.1As層32との間の屈折率を有する中間層とを備える積層構造が複数形成された分布ブラッグ反射器を有する面発光レーザ装置であって、分布ブラッグ反射器において、中間層の厚さがレーザ光の電界強度の位相に応じて異なるものである。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

活性層と、 前記活性層の上又は下に設けられたDBR層とを備えた面発光レーザ装置であって、 前記DBR層は、 高屈折率層と、 前記高屈折率層より屈折率の低い低屈折率層と、 前記高屈折率層と前記低屈折率層との間に配置された中間層とを有する積層構造を複数有し、 前記活性層からの距離に応じて異なる厚さの前記中間層が設けられている面発光レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S5/187

FI (1件)：

H01S5/187

Fターム (14件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC24 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AC61 ,  5F173AG22 ,  5F173AG24 ,  5F173AH29 ,  5F173AJ45 ,  5F173AP33 ,  5F173AR23 ,  5F173AR64

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平03-224285号公報
  
• 面発光半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-153125   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-130330   出願人：株式会社リコー