特許
J-GLOBAL ID:200903010374483740
半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-130330
公開番号(公開出願番号):特開2003-324252
出願日: 2002年05月02日
公開日(公表日): 2003年11月14日
要約:
【要約】【課題】 反射率を低下させることなく、低抵抗で且つ光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。【解決手段】 積層方向に順次に積層されているp型半導体分布ブラッグ反射器Iとp型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層(線形組成傾斜層)の厚さが異なっている。
請求項(抜粋):
屈折率が異なる2種の半導体層の間に、前記2種の半導体層の間の屈折率をもつ中間層を有する半導体分布ブラッグ反射器において、該半導体分布ブラッグ反射器内の一部の領域における中間層の厚さが他の領域における中間層の厚さと異なっていることを特徴とする半導体分布ブラッグ反射器。
IPC (3件):
H01S 5/183
, H01S 5/323
, H01S 5/40
FI (3件):
H01S 5/183
, H01S 5/323
, H01S 5/40
Fターム (8件):
5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB05
, 5F073AB17
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA27
, 5F073DA35
引用特許:
出願人引用 (7件)
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半導体多層膜反射鏡
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-357102
出願人:大同特殊鋼株式会社
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特開平4-280693
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半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-112234
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-252083
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化合物半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177422
出願人:沖電気工業株式会社
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面発光レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-264824
出願人:日本電信電話株式会社
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面発光半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-153125
出願人:古河電気工業株式会社
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審査官引用 (3件)
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半導体多層膜反射鏡
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-357102
出願人:大同特殊鋼株式会社
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特開平4-280693
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特開平4-280693
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