特許
J-GLOBAL ID：200903050823389186

積層薄膜およびその製造方法

発明者：
矢野 義彦

矢野 義彦 について

, 
野口 隆男

野口 隆男 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287494
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 Si単結晶等からなる基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、自発分極値の低下を防ぐ。【解決手段】 基板上に形成された積層薄膜であり、導電性中間薄膜と、この導電性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記導電性中間薄膜がエピタキシャル膜である積層薄膜。強誘電体薄膜は、PbおよびTiを含む酸化物などから構成され、導電性中間薄膜は、ペロブスカイト構造を有し、Ruを含有する酸化物などから構成される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された積層薄膜であり、導電性中間薄膜と、この導電性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記導電性中間薄膜がエピタキシャル膜である積層薄膜。
IPC (6件)：
C30B 29/32 ,  G02F 1/03 501 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (6件)：
C30B 29/32 A ,  G02F 1/03 501 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 31/08 N
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開昭63-236797
  • 酸化物積層構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158521   出願人：ソニー株式会社
  • 配向性強誘電体薄膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297621   出願人：富士ゼロックス株式会社
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