特許

J-GLOBAL ID：200903050842511510

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 井原 久典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292427
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101004
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 残像量を減少することが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る固体撮像装置は、P型の半導体層10上にゲート絶縁膜12を介して選択的に形成されたゲート電極14と、このゲート電極14の一端の半導体層10の表面に形成されたN型の第1の拡散層15と、ゲート電極14の他端の半導体層10の表面に形成されたN型の第2の拡散層17と、この第2の拡散層17と接して半導体層10内に形成されたN型の電荷蓄積層19と、電荷蓄積層19上に形成されたP型の表面シールド層21とを具備する。そして、電荷蓄積層19の不純物濃度を1×1016cm-3乃至18×1016cm-3とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層上にゲート絶縁膜を介して選択的に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一端の前記半導体層の表面に形成された第2導電型の第1の拡散層と、前記ゲート電極の他端の前記半導体層の表面に形成された第2導電型の第2の拡散層と、前記第2の拡散層と接して、前記半導体層内に形成された第2導電型の第3の拡散層と、前記第3の拡散層上に形成された第1導電型の第4の拡散層とを具備し、前記第3の拡散層の不純物濃度は1×1016cm-3乃至18×1016cm-3であることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

Fターム (17件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA15 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GB11 ,  5C024CX17 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258714   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-091726   出願人：株式会社東芝