特許
J-GLOBAL ID：200903050847335850
半導体装置、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234385
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074347
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】回転塗布したSOGがメタル配線層のコーナ部付近に厚く溜ることを防止する。【解決手段】半導体基板上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、複数の層間絶縁膜3〜5の端部を覆うようにメタル配線層8を形成した後、基板1全面にSOG膜10を回転塗布により形成する半導体装置の製造方法において、メタル配線層8を形成する際に、メタル配線層8のコーナ部分に切込み部14a,14bをエッチングにより形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、1層以上の層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成した後、前記半導体基板全面に絶縁膜を回転塗布により形成する半導体装置の製造方法において、前記メタル配線層を形成する際に、メタル配線層のコーナ近傍に少なくとも1つの切込みをエッチングにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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