薄膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270029
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077911
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】基体(基板)とは異なる材料の化合物からなる膜を、より膜質の良い状態で、基体表面に反応性スパッタ法で形成する【解決手段】シリコン基板101上に、Al-O分子によるメタルモード膜102を形成した後、ターゲット203に対する高周波電力の供給を停止するなどにより、ターゲット203におけるスパッタ状態を停止し、シリコン基板101上のメタルモード膜102表面に、Arと酸素のプラズマ110が照射される状態とする。このプラズマ110の照射を5秒〜60秒間行うことにより、メタルモード膜102を改質する。

請求項（抜粋）：

内部にターゲットが固定された密閉可能な容器内に膜形成対象の基体を載置する第1の工程と、前記容器内を真空排気する第2の工程と、前記容器内に第1のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスを導入して前記第1のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、前記ターゲットに負のバイアスを印加して前記プラズマにより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する第1の原子と前記反応性ガスを構成する第2の原子とからなる薄膜を前記基体の主表面に形成する第3の工程と、前記容器内に第2のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスを導入して前記第2のガス組成からなる不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、このプラズマにより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させることなく、このプラズマを前記薄膜に照射する第4の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 14/34 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/316 Y , C23C 14/34 S , H01L 21/318 B , H01L 21/318 C

Fターム (15件)：

4K029AA06 , 4K029BA44 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029GA02 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BC20 , 5F058BF13 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (4件)

薄膜の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330270 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149982 出願人：株式会社東芝
特開昭60-050167

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審査官引用 (1件)

薄膜の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330270 出願人：松下電器産業株式会社

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