特許
J-GLOBAL ID：200903050909450880
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144489
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326527
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、レーザ光が共振器端面より出射される半導体レーザ素子において、誘電体膜パッシベーションの際に共振器端面に発生する応力を制御し、安定な誘電体/半導体界面を形成することによって、COD劣化を効果的に抑制することができる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振器端面に、該端面に直接積層した第一誘電体膜と、前記第一誘電体膜上に積層し、共振器端面に対して該誘電体膜とは反対の応力を示す第二誘電層とを有する半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振器端面に、該端面に直接積層した第一誘電体膜と、前記第一誘電体膜上に積層し、共振器端面に対して該誘電体膜とは反対の応力を示す第二誘電層とを有する半導体レーザ素子。
引用特許：
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