多層膜構造および面発光レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保田千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307008
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に、第1,第2の層を交互に積層する際の、積層体の合成内部残留応力を大幅に低減させることができる多層膜構造、およびこれを反射ミラーに応用した面発光レーザを提供する。【構成】それぞれ所定厚さを持つ第1の層(SiO2層)2と第2の層(TiO2層)3の対が、半導体(GaAs)1基板上に蒸着されて形成される誘電体多層膜ミラー4を持つ面発光レーザであって、半導体基板1上に蒸着した状態で、第1の層2は残留収縮応力を有し、第2の層3は前記残留収縮応力と等しいか、またはほぼ等しい大きさの残留伸張応力を有することを特徴とする多層膜構造。

請求項（抜粋）：

それぞれ所定厚さを持つ第1の層と第2の層の対が、半導体基板上に蒸着されて形成される多層膜構造であって、前記半導体基板上に蒸着した状態で、第1の層は残留収縮応力を有し、第2の層は前記残留収縮応力と等しいか、またはほぼ等しい大きさの残留伸張応力を有することを特徴とする多層膜構造。

引用特許：

出願人引用 (6件)

面発光型光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347302 出願人：株式会社東芝
面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267473 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭59-010901

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審査官引用 (6件)

面発光型光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347302 出願人：株式会社東芝
面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267473 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭59-010901

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