特許

J-GLOBAL ID：200903050997056810

半導体ウエ-ハを研磨する方法、装置及びバッキングフィルム及び集積回路を製造する方法

発明者： マイケル エル ワイズ ,  ジェレミー ケイ スティーヴンス ,  サリ ジー ヘッジ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288906
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 CMPの間の研磨速度における不均一を減少し又は除去する。【解決手段】 CMPの間の研磨速度における不均一を改善するために、半導体ウエーハに異なった温度の範囲を設ける。

請求項（抜粋）：

第1の部分及び第2の部分を有するウエーハを準備し、その際第1の部分が第2の部分より高い温度にあり、かつウエーハを回転研磨パッドに接触させることを特徴とする、半導体ウエーハを研磨する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621

FI (2件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ラッピング方法および平面研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165079   出願人：富士通株式会社
• 半導体製造装置及び半導体製造装置の使用方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-228630   出願人：株式会社東芝