特許
J-GLOBAL ID：200903001057435617

半導体製造装置及び半導体製造装置の使用方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
間瀬 康一

間瀬 康一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228630
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055361
出願日： 1995年08月15日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 所定のパターンを有する溝に埋込むように形成された金属膜などの埋込み材料の前記溝以外の部分をポリッシング除去し、埋込み配線等の埋込み部を形成する際に異常なディシング現象を防止し、配線信頼性の向上を実現する。【解決手段】 半導体基板20上の絶縁膜に形成された所定の深さとパターンを有する配線溝に通常の高温スパッタ法により金属配線膜を埋込んだ後、金属配線膜の配線溝以外の不要部分をポリッシングにより除去し埋込み配線を形成する埋込み技術において、ポリッシング装置の半導体基板保持機構40に設けられた温度調節素子50(51、52)により該半導体基板20を介して研磨布表面の温度を制御し、スラリーの化学的研磨作用を制御する。
請求項（抜粋）：
第1の駆動手段によって回転され、研磨布を表面に取り付けた研磨盤と、第2の駆動手段によって回転され、被ポリッシング膜がその主面に形成されている半導体ウエーハを保持する半導体基板保持機構と、前記半導体基板保持機構に形成された複数の温度調節素子とを備え、前記温度調節素子によってポリッシング中の半導体ウエーハ表面の温度をその半導体ウェーハ面内において均一になるように制御することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00
FI (3件)：
H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 Z ,  B24B 1/00 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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