特許

J-GLOBAL ID：200903051008603811

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 有留 誠一 ,  遠藤 哲郎 ,  白田 理一郎 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072026
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275659
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、NANDセル型EEPROMの高集積化を可能とすることを目的とする。【構成】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板1上に絶縁膜30を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層して形成されてなる不揮発性半導体メモリセルが隣接するもの同士でソース・ドレイン拡散層9を共用する形で直列接続してNANDセルを構成し、このNANDセルのソース・ドレイン拡散層9を半導体基板上の絶縁膜30上に形成してなる半導体膜31で形成して構成されている。【効果】 本発明によれば、ビット線間の距離を縮めることができ、NAND型EEPROMのメモリセルを縮小でき、チップ面積の大幅な縮小が可能となり、素子の高集積化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書替え可能な不揮発性半導体メモリセルが隣接するもの同士でソース、ドレイン拡散層を共用する形で直列接続されてNANDセルを構成してマトリクス配列されたセルアレイと、前記NANDセルのソース、ドレイン拡散層が半導体基板上の絶縁膜上に形成された半導体膜で形成されたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-130570
  
• 特開昭55-055568
  
• 特開昭57-102072
  
• 特開平4-025077
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-337636   出願人：日本電気株式会社