特許
J-GLOBAL ID:200903051024819530
レジスト下層膜用組成物及びこれを用いたレジスト下層膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
正林 真之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-102018
公開番号(公開出願番号):特開2007-279135
出願日: 2006年04月03日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】レジストパターンの裾引きを低減するとともに、該パターンの形状を改善することが可能なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜を提供する。【解決手段】シロキサン系重合体を含有するレジスト下層膜用組成物中に、所定量の4級アンモニウム化合物を含有した。【選択図】なし
請求項(抜粋):
シロキサン系重合体と、4級アンモニウム化合物と、を含有するレジスト下層膜用組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/11 503
, H01L21/30 574
Fターム (3件):
2H025AB16
, 2H025DA34
, 5F046PA07
引用特許:
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