特許
J-GLOBAL ID：200903051052029987
半導体ウェーハの研削方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374230
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207459
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】外周が面取りされている半導体ウェーハの裏面を研削する場合において、研削後の半導体ウェーハの外周端部に尖りが生じること及び研削中に外周部がばたつくことを回避し、半導体ウェーハに欠けや割れが生じるのを防止する。【解決手段】表面に回路が形成され外周に面取り部1が形成された半導体ウェーハWの裏面を研削して所定の厚さに形成する場合において、面取り部1を除去して表面から裏面に至る外周壁2を半導体ウェーハの外周側面に形成した後、裏面を研削して半導体ウェーハWを所定の厚さに形成する。厚さが100μm以下のように薄くなった半導体ウェーハでも外周がカミソリのように尖ることがないため、外周に欠けや割れが生じることがない。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に複数の回路が形成され外周端部に面取り部が形成された半導体ウェーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する半導体ウェーハの研削方法であって、
該面取り部を除去して該表面から該裏面に至る外周壁を該半導体ウェーハの外周端部に形成する外周壁形成工程と、
該半導体ウェーハの裏面を研削して該半導体ウェーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と
から構成される半導体ウェーハの研削方法。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B7/22
, B24B9/00
H01L21/304 631
, H01L21/304 621E
, B24B7/22 Z
, B24B9/00 601H
3C043BB00
, 3C043CC04
, 3C049AA03
, 3C049AA11
, 3C049AA16
, 3C049CA01
, 3C049CB02
