特許
J-GLOBAL ID：200903051092491489

マグネチックラム

発明者：
姜 昌龍

姜 昌龍 について

, 
金 昌錫

金 昌錫 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400574
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280527
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 構造を単純化させ、それに伴う高集積化を可能にするマグネチックラムを提供する。【解決手段】 本発明はマグネチックラムの高集積化を可能にするため、半導体基板の活性領域に備えられリードライン及びライトラインに用いられるワードラインと、前記半導体基板の活性領域の一側及び他側に備えられる接地線及び下部リード層と、前記下部リード層に接続され前記ワードラインの上側に折り重ねて備えられるシード層と、前記ワードライン上側のシード層上部に接続されるMTJセルと、前記MTJセルに接続されるビットラインを含む構造であるマグネチックラムを提供することにより、素子の構造を単純化させて高集積化を可能にし、それに伴う製造工程を単純化させ、素子の安定性及び生産性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の活性領域に備えられ、リードライン及びライトラインに用いられるワードラインと、前記半導体基板の活性領域の一側及び他側に備えられる接地線及び下部リード層と、前記下部リード層に接続され、前記ワードラインの上側に重ねて備えられるシード層と、前記ワードライン上側のシード層上部に接続されるMTJセルと、前記MTJセルに接続されるビットラインを含み、前記ワードラインと前記ビットラインの長さ方向が上下方向から見た場合にほぼ直交していることを特徴とするマグネチックラム。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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