磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-132961
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】磁気薄膜メモリを構成するメモリセルの構造を簡略化するとともにメモリセルの占有面積を低減し、高集積化された磁気薄膜メモリを得る。【解決手段】メモリセルの電界効果トランジスタのドレイン電極と、この電界効果トランジスタに隣接する他の電界効果トランジスタのソース電極を接続し電極を共通化させて、半導体基板との接続を行うコンタクトホールの数を1メモリセルに対し1個に減らす。また、磁気抵抗に情報を書込むための書込み線を電界効果トランジスタのゲート電極に代用させて書込み線を省略し1メモリセルに必要な配線本数を減らす。

請求項（抜粋）：