特許
J-GLOBAL ID：200903051130176002

エピタキシャルウェーハとその製造方法

発明者：
梅野 繁

梅野 繁 について

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村上 賢史

村上 賢史 について

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藤井 弘毅

藤井 弘毅 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 池条 重信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091234
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】ヒ素をドープしたシリコン単結晶ウェーハにおいて、エピタキシャル層のピット欠陥を低減したエピタキシャルウェーハの提供。【解決手段】エピタキシャル成膜前にガスエッチングが施されるとピット欠陥が発生し易くなるが、面方位が(100)であり、[100]軸に対して[001]方向または[001]方向に角度θ、[010]方向または[010]方向に角度φとした傾斜角を、特定範囲とすることで、ピット欠陥が発生し難くなり、健全なエピタキシャル層が得られる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
面方位が(100)であり、[100]軸に対して[001]方向または[001]方向に角度θ、[010]方向または[010]方向に角度φだけ傾斜した範囲(0.2°≦θかつφ≦0.1°、または0.2°≦φかつθ≦0.1°)に、ヒ素をドープし比抵抗値が2.5mΩ・cm以上のシリコン単結晶インゴットより切り出されたウェーハであり、エピタキシャル成膜前にガスエッチングが施されたウェーハ表面にエピタキシャル成膜を有し、エピタキシャル成膜後に見られるピットを低減したエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
C30B29/06 ,  H01L21/205
FI (2件)：
C30B29/06 A ,  H01L21/205
Fターム (17件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077DB01 ,  4G077EE03 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  5F045AB02 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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